Описание
Описание[Страница продукта на официальном сайте производителя] Технические характеристикиОбщие особенностиПрименениеКлиентские ПКЕмкость2048 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA) *Фактически используемая емкость может быть меньше (в результате форматирования, использования операционной системой, приложениями и др.)Форм-фактор2.5 дюймИнтерфейсSATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсамиРазмеры (ШxВxГ)100 X 69,85 X 6,8 (мм)Вес (г.)Max вес 62.0 г.Тип NANDSamsung V-NAND 2bit MLCКонтроллерMJX контроллер SamsungБуферная памятьSamsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAMОсобенностиПоддержка TRIM Поддержка S.M.A.R.T Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод) Поддержка имен World Wide NameПоддержка режима снаХарактеристикиПоследовательное чтениеСкорость последовательного чтения до 560 MБ/с. *Характеристика может зависеть от конфигурации системыПоследовательная записьСкорость последовательного чтения до 530 MБ/с. *Это значение может зависеть от конфигурации системыСлучайное чтение (4 КБ, QD32)Скорость случайного чтения до 100 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системыСлучайная запись (4 КБ, QD32)Скорость произвольного чтения до 90 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системыСлучайное чтение (4KB, QD1)Скорость произвольного чтения до 11 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системыСлучайная запись (4KB, QD1)Скорость произвольного чтения до 43 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системыУсловия эксплуатацииПотребляемая мощность*Средняя потребляемая мощность: 2.2 Вт. *Макс. значение: 4,5 Вт. (режим Burst) *Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системыНадежность (MTBF)2 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)Диапазон рабочих температурДиапазон рабочих температур: 0 - 70 ℃Устойчивость к ударам1500G в течение 0.5 мс (Half sine)Программное обеспе